半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

參考答案：生長過程：①傳輸：反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應(yīng)物吸附在Si表面；③化學(xué)反應(yīng)：在Si表面進行化學(xué)反應(yīng)，...

2.問答題為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長會引發(fā)什么問題？

參考答案：因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度...

3.問答題 采用CF₄作為氣體源對SiO₂進行刻蝕，在進氣中分別加入O₂或H₂對刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進氣量的增加，對Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

參考答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂

4.問答題什么是無源元件？例舉出兩個無源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個有源元件的例子。

參考答案：無源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容...

5.問答題什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...

6.問答題解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

參考答案：正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上，負性光刻把與掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，這兩種基本工藝的主要區(qū)別在...

7.問答題名詞解釋：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。

8.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...

9.填空題雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴散機理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

參考答案：替位；間隙

10.問答題簡述幾種常用的氧化方法及其特點。

參考答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學(xué)氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好...