半導體物理章節(jié)練習(2020.05.23)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題以硅的本征激發(fā)為例，說明半導體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結構的聯(lián)系，為什么電子從其價鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導體的禁帶寬度？

參考答案：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因為電子要擺脫束縛就能從價帶躍遷到導帶，這個時候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。

2.問答題最高電阻率是本征電阻率的多少倍？

3.問答題簡述電流-電壓關系（計算）。

4 與絕緣體相比，半導體的價帶電子激發(fā)到導帶所需要的能量（）

5.填空題受主雜質電離后向半導體提供（），施主雜質電離后向半導體提供（），本征激發(fā)向半導體提供（）。

參考答案：空穴；電子；電子和空穴

6.問答題簡述光電二極管的光電流的計算公式。

7.問答題 在圖所示電路中，發(fā)光二極管導通電壓U_D＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：
（1）開關S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？
（2）R的取值范圍是多少？

8.問答題以施主雜質電離90%作為強電離的標準，求摻砷的n型鍺在300K時，以雜質電離為主的飽和區(qū)摻雜質的濃度范圍。

9.名詞解釋施主雜質

在半導體中電離時，能夠釋放電子而產生導電電子并形成正電中心的雜質稱為施主雜質。

10.問答題雙極集成電路工藝中的七次光刻和四次擴散分別指什么？

參考答案：七次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻； P+隔離擴散孔光刻；P型基區(qū)擴散孔光刻；N+發(fā)射區(qū)擴散孔光刻；引線接觸孔光刻...