半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 電路如圖所示，已知u_i＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓U_D＝0.7V。試畫出u_i與u_O的波形，并標(biāo)出幅值。

波形如解圖

2.問答題 證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項的物理意義。

3.問答題 在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓U_D＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：
（1）開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？
（2）R的取值范圍是多少？

4 對一定的半導(dǎo)體，其本征載流子濃度（）。

5.問答題集成二極管中最常用的是哪兩種，具體什么特點？

參考答案：①集成齊納二極管：反向工作的BC短接二極管，沒有寄生PNP效應(yīng)，且儲存時間最短，正向壓降低；
②次表面齊納管：單...

6.問答題什么叫統(tǒng)計分布函數(shù)，費米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？

參考答案：統(tǒng)計分布函數(shù)描述的事熱平衡狀態(tài)下電子在允許的量子態(tài)如何分布的一個統(tǒng)計分布函數(shù)。
費米分布反映了Pauli不相容...

7.問答題兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？

參考答案：兩性雜質(zhì)是指在半導(dǎo)體中既可作施主又可作受主的雜質(zhì)。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中摻Ⅳ族Si。如果Si替位Ⅲ族As，則Si為施主；如...

8.問答題間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

參考答案：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進...

9 下面說法正確的是（）

10.問答題摻有濃度為每立方米為10²²硼原子的硅材料，分別計算①300K；②600K時費米能級的位置及多子和少子濃度。