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      單項(xiàng)選擇題

      下列有關(guān)Flash存儲(chǔ)器的描述,不正確的是()

      A.Flash存儲(chǔ)器屬于非易失的存儲(chǔ)器
      B.Flash存儲(chǔ)器的讀操作與SRAM存儲(chǔ)器的讀操作基本相同
      C.Flash存儲(chǔ)器的寫操作與SDRAM存儲(chǔ)器的寫操作基本相同
      D.Flash存儲(chǔ)器在寫入信息前必須首先擦除原有信息

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      • 單項(xiàng)選擇題

        下面關(guān)于DRAM存儲(chǔ)器描述錯(cuò)誤的是()

        A.DRAM存儲(chǔ)器需要對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容定時(shí)刷新
        B.DRAM存儲(chǔ)器具有單位空間存儲(chǔ)容量大的特點(diǎn)
        C.DRAM存儲(chǔ)器屬于非易失的存儲(chǔ)器
        D.DRAM存儲(chǔ)器主要依靠電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)記憶信息

      • 單項(xiàng)選擇題

        某系統(tǒng)需要永久存放高速度寫的數(shù)據(jù),最合適的存儲(chǔ)器是()

        A.SRAM
        B.FRAM
        C.EEPROM
        D.Flash

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