<rt id="8aq6g"></rt>

<li id="8aq6g"></li>

【簡答題】簡述常壓單晶外延和多晶薄膜沉積裝置。

答案：三種裝置不僅可以用于硅外延生長，也較廣泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延層生長；還可用于氧化硅...

你可能感興趣的試題

問答題
【簡答題】簡述化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)裝置
答案：
（1）氣相反應(yīng)室；
（2）加熱系統(tǒng)；
（3）氣體控制系統(tǒng)；
（4）排氣系統(tǒng)
問答題
【簡答題】簡述動量的傳遞方式
答案：兩種常見的流體流動方式：流速與流向均平順者稱為“層流”；流動過程中產(chǎn)生擾動等不均勻現(xiàn)象的流動形式，則稱為“湍流”。

<li id="wc3pp"><dl id="wc3pp"></dl></li>