A.用硅晶體制成的半導(dǎo)體探測(cè)器比相同體積的空氣電離室的靈敏度高 B.在鉆-60伽瑪輻射場(chǎng)中，N型半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度比P型半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度受累積劑量的影響要小 C.照射野的大小會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度 D.環(huán)境溫度會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度 E.劑量率會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度
A.CTV B.BEV C.REV D.DRR E.DVH
A.原子核 B.同位素 C.核素 D.元素 E.核電荷素
A.步進(jìn)源駐留位相對(duì)較少 B.劑量節(jié)制點(diǎn)數(shù)目較多 C.多層面插值照射 D.駐留位間距大于1.0cm E.駐留位間距較小
A.0.6%B.1.6%C.3.2%D.20%E.40%
A.小于0.4Gy/h B.0.4-2Gy/h C.2-6Gy/h D.6-12Gy/h E.大于12Gy/h
A.準(zhǔn)直器半影 B.幾何半影 C.穿透半影 D.散射半影 E.能量半影
A.1-10Kev B.10-30Kev C.30Kev-25MKev D.25-100Mev E.100-125Mev
A.5%-10% B.10%-15% C.15%-20% D.20％-25％ E.25％-30％
A、使用源驅(qū)動(dòng)裝置將源退回到屏蔽位置，源退回不成功時(shí)，立即將病人轉(zhuǎn)移出該區(qū)域 B、無(wú)論有無(wú)病人，不能開(kāi)機(jī)房門(mén)以免對(duì)操作人員造成傷害 C、關(guān)機(jī)、等待維修人員 D、通知上級(jí)部門(mén) E、打開(kāi)計(jì)量檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行測(cè)量
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