互聯(lián)線、電阻、電容、電感、傳輸線等
甩膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠。
某些工藝參數(shù)的梯度沿水平方向或者垂直方向是線性的
硅、砷化鎵、磷化銦
負光刻膠:膠的曝光區(qū)在顯影中保留,未曝光區(qū)在顯影中除去,負膠多由長鏈高分子有機物組成
刻蝕即光刻腐蝕,就是通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其他方式實現(xiàn)腐蝕以處理掉所需除去的部分。
1、底膜處理
2、涂膠
3、前烘
4、曝光
5、顯影
6、堅膜
7、刻蝕去膠
柵長小于0.3um
雙光干涉法、比色法