六西格瑪團隊在半導體封裝中某個工藝的改善過程中已經(jīng)完成了三個因子的全因子試驗設(shè)計，但是發(fā)現(xiàn)有明顯的曲性。為了優(yōu)化工藝參數(shù)希望擬合出2階模型，但是輸入因素“功率”（單位：MW）原先的高、低水平分別為40和50，由此產(chǎn)生的軸向延伸試驗點分別為37.93和52.07，超出了設(shè)備可控制的功率設(shè)置范圍[38.5，51.5]，這時，由于試驗成本很高，團隊希望盡量使用上次全因子設(shè)計的數(shù)據(jù)，以下哪種方法最適合該六西格瑪團隊采用？（）