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A.采用單晶體材料
B.復(fù)合壓電晶體，更好的聲頻譜和更低的聲阻抗
C.結(jié)合3T技術(shù)，提升聲能量轉(zhuǎn)換、降低陣元間干擾、溫度控制性能
D.有更高的細(xì)節(jié)、對(duì)比分辨率及更好的全場(chǎng)均勻性

A.21.5寸，12.1寸
B.19寸，13.3寸
C.21.5寸，13.3寸
D.19寸，12.1寸