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多項(xiàng)選擇題

適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

A.沒(méi)有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純?cè)?/p>

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多項(xiàng)選擇題

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說(shuō)法正確的有（）

A.光滑界面是以不連續(xù)的方式生長(zhǎng)。
B.光滑界面的生長(zhǎng)又稱為側(cè)向生長(zhǎng)。
C.粗糙界面的生長(zhǎng)能連續(xù)地生長(zhǎng)
D.粗糙界面的生長(zhǎng)又稱為層狀生長(zhǎng)

單項(xiàng)選擇題

完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過(guò)（）而進(jìn)行的。

A.臺(tái)階的產(chǎn)生
B.扭折的產(chǎn)生
C.臺(tái)階的運(yùn)動(dòng)
D.扭折的運(yùn)動(dòng)

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