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絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
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理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
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p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
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