多項(xiàng)選擇題

有關(guān)DRAM與SRAM，下面說法中不正確的是（）。

A.DRAM存儲單元的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路，需要電流刷新
B.一般把DRAM用在比內(nèi)存小得多的高速緩沖存儲器等場合
C.DRAM即通常所說的內(nèi)存
D.與DRAM相比，SRAM的特點(diǎn)是讀寫速度快、存儲容量小、價(jià)格高

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多項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于存儲器DRAM的描述中，錯誤的是（）。

A.RAM一般使用DRAM
B.DRAM的特點(diǎn)是在器件加有電源的情況下，其存儲單元中的內(nèi)容也不能保存較長時(shí)間，一般只能保存2ns
C.DRAM的主要參數(shù)有兩個(gè)：存儲容量和時(shí)鐘頻率
D.DRAM包括地址寄存器、指令寄存器、數(shù)據(jù)寄存器

多項(xiàng)選擇題

按照計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分類，存儲器可分為（）。

A.RAM
B.內(nèi)存儲器
C.外存儲器
D.ROM

有關(guān)DRAM與SRAM，下面說法中不正確的是（）。

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下列關(guān)于存儲器DRAM的描述中，錯誤的是（）。

按照計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分類，存儲器可分為（）。

有關(guān)DRAM與SRAM，下面說法中不正確的是（）。

下列關(guān)于存儲器DRAM的描述中，錯誤的是（）。

按照計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分類，存儲器可分為（）。