問答題

【論述題】在干法刻蝕的終點檢測方法中，光學放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點。

答案：光學放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達到終點檢測的目的。光強的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...

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【論述題】
采用CF₄作為氣體源對SiO₂進行刻蝕，在進氣中分別加入O₂或H₂對刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進氣量的增加，對Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導致Si和SiO₂

【論述題】根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？

答案：干法刻蝕是采用等離子體進行刻蝕的技術，根據(jù)原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學）、反應離子刻蝕（物理+化學）。...