半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.27)

問答題
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？
答案：
問答題
根據原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？
答案：干法刻蝕是采用等離子體進行刻蝕的技術，根據原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學）、反應離子刻蝕（物理+化學）。...
問答題
什么是兩步擴散工藝，其兩步擴散的目的分別是什么？
答案：實際的擴散溫度一般為900-1200℃，在這個溫度范圍內，雜質在硅中的固溶度隨溫度變化不大，采用恒定表面源...
問答題
簡述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
答案：二氧化硅腐蝕最常見的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
問答題
說明SiO2的結構和性質，并簡述結晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。
答案：結晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構成每個頂角的O原子與兩個...