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集成電路制造工藝員（三級）單項選擇題每日一練(2019.01.15)

來源：考試資料網(wǎng)

1 單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。

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2 請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：（）。

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3 檢驗水中是否有鹽酸，可用（）溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。

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4 請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱：（）。

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5 對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

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