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[判斷題]p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
[判斷題]MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
[判斷題]n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
[判斷題]柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
[判斷題]MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
[判斷題]MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
[判斷題]實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質和缺陷。
[判斷題]MOS管閾值電壓的單位是eV。
[判斷題]氧化鋁(Al2O3)的介電常數一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數。
[判斷題]MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
[填空題]雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
[判斷題]當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
[填空題]半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是()年。
[判斷題]MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
[判斷題]N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
[判斷題]理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
[判斷題]MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
[填空題]半導體的主要特征有()()()和()。
[填空題]()是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。
[判斷題]半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
[填空題]晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數。
[判斷題]理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
[判斷題]P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
[判斷題]MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
[判斷題]P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
[填空題]雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
[判斷題]絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
[判斷題]絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
[填空題]“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產最主要的一種是()。
[判斷題]N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
[判斷題]處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
[填空題]晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
[判斷題]處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
[填空題]1947年,()等人制造了第一個晶體管。
[填空題]第一塊集成電路發(fā)明于()年。
[判斷題]柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。